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NVHL040N120SC1是一款采用 TO-247-3 通孔型引腳封裝的1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET器件，具有出色的開關(guān)性能和可靠性，以及低導(dǎo)通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。該MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：56毫歐 @ 35A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：106 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1781 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：348W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號(hào)：NVHL040

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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