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這種先進的平面條紋HEXFET?功率MOSFET采用最新的工藝技術，實現(xiàn)了極低的每硅面積導通電阻。該HEXFET功率MOSFET的其他特點是175°C結工作溫度、低RθJC、快速開關速度和改進的重復雪崩額定值。這種組合使該設計成為一種非常有效和可靠的選擇，適用于各種應用。

產(chǎn)品規(guī)格

FET 類型 N 通道  

技術 MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 75 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 106A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 7 毫歐 @ 82A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 5310 pF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 200W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 D2PAK 

典型應用

工業(yè)汽車

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