商品名稱:IRF3808STRLPBF
數(shù)據(jù)手冊(cè):IRF3808STRLPBF.pdf
品牌:IR
年份:11+
封裝:TO-263
貨期:原裝現(xiàn)貨
庫(kù)存數(shù)量:20000 件
這種先進(jìn)的平面條紋HEXFET ?功率MOSFET采用了最新的加工技術(shù),實(shí)現(xiàn)了單位硅面積的極低導(dǎo)通電阻。這種HEXFET功率MOSFET的其他特點(diǎn)是結(jié)點(diǎn)工作溫度為175℃,RθJC低,開關(guān)速度快,重復(fù)雪崩等級(jí)提高。這種組合使該設(shè)計(jì)成為在各種應(yīng)用中使用的極其有效和可靠的選擇。
規(guī)格參數(shù)
ET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 106A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 7 毫歐 @ 82A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
漏源電壓(Vdss) 75 V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 220 nC @ 10 V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 5310 pF @ 25 V
應(yīng)用領(lǐng)域
高效同步整流
開關(guān)電源
不間斷電源
高速電源開關(guān)
升硬開關(guān)和高頻電路
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IR,即國(guó)際整流器公司,是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱IR) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能運(yùn)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)乃全球最大之耗能設(shè)備) …
IRFB3077PBF
IRFB3077PBF 功率 MOSFET 采用成熟的硅工藝,為設(shè)計(jì)人員提供廣泛的器件組合,支持直流電機(jī)、逆變器、SMPS、照明、負(fù)載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用等各種應(yīng)用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝,具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基底面,便于設(shè)計(jì)。優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠靈活選擇超電…IRF3808STRRPBF
這種先進(jìn)的平面條紋HEXFET功率MOSFET采用最新的工藝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。該HEXFET功率MOSFET的其他特點(diǎn)是175C結(jié)工作溫度、低RθJC、快速開關(guān)速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這種組合使該設(shè)計(jì)成為一種非常有效和可靠的選擇,適用于各種應(yīng)用。產(chǎn)品規(guī)格FET 類…電話咨詢:86-755-83294757
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