商品名稱:eMMC 存儲器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-153
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:0 件
ASFC32G31T3-51BIN e-MMC 是一種可管理的非易失性存儲器,由單芯片 MMC 控制器和 NAND 閃存芯片組成,采用 JEDEC 定義的標(biāo)準(zhǔn) BGA 封裝。它是專為存儲數(shù)據(jù)和作為啟動媒體而設(shè)計的小型存儲器產(chǎn)品。
ASFC32G31T3-51BIN 的規(guī)格
封裝/外殼: FBGA-153
內(nèi)存大?。?2 GB
配置:TLC TLC
連續(xù)讀取:270 MB/s
順序?qū)懭?120 MB/s
接口類型:eMMC 5.1
電源電壓 - 最低:2.7 V
電源電壓 - 最大值:3.6 V
最低工作溫度:- 40 C
最高工作溫度 + 85 C
尺寸:11.3 毫米 x 15 毫米 x 1 毫米 11.3 毫米 x 15 毫米 x 1 毫米
濕度敏感: 是
工作電源電壓:3.3 V
ASFC32G31T3-51BIN 的特點(diǎn)
完全符合 JEDEC e-MMC 5.1 標(biāo)準(zhǔn) (JESD84-B51)
153 球 BGA,0.5 毫米間距,11.5 x 13 毫米,符合 RoHS 規(guī)范
3D TLC NAND 基礎(chǔ)技術(shù)
用戶可根據(jù) e-MMC 規(guī)范 5.1 配置多個 3D TLC 或增強(qiáng)/可靠模式分區(qū)
高性能 e-MMC 5.1 規(guī)范
十一線總線(時鐘、數(shù)據(jù)選通、1 位命令、8 位數(shù)據(jù)總線)和硬件復(fù)位
三種不同的數(shù)據(jù)總線寬度模式:1 位(默認(rèn))、4 位和 8 位
時鐘頻率 0-200MHz,高速模式 HS400
符合 e-MMC 規(guī)范 5.1 的命令隊列功能
連續(xù)讀取速度高達(dá) 300MB/s,連續(xù)寫入速度高達(dá) 230MB/s
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Kingston
FBGA-153
1000
FLASH - NAND(MLC) 存儲器 IC 32Gb eMMC_5.1 200 MHz 153-FBGA(11.5x13)
Kingston
FBGA-153
1000
FLASH - NAND(TLC) 存儲器 IC 2Tb eMMC_5.1 200 MHz 153-FBGA(11.5x13)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為多個可獨(dú)立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時保留有效數(shù)據(jù)。型號:AS9F38G08SA-25BI…AS9F34G08SA-25BIN
型號:AS9F34G08SA-25BIN封裝:FBGA-63類型:NAND 閃存存儲器詳細(xì)描述:AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x …AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x 8存儲器接口:并聯(lián)寫周期時間 - 字,頁:25ns,700s訪問時間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為…AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb(1M x 16 位)低功耗 CMOS SRAM,帶可切換 IO 選項(x16 或 x8)AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述:AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器,按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,內(nèi)部有十六個存儲塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預(yù)取架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格類型: SDRAM - DDR4 內(nèi)存大?。? Gbit 數(shù)據(jù)總線寬度:8 位 最高時鐘頻率: 1.6 GHz 封裝/外殼 FBGA-78 組織結(jié)構(gòu) 1 G x 8 電…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: