商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。該器件采用小型TO-263-7封裝,設計符合AEC-Q101標準。
SCT3160KWAHRTL的規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術:SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):208 毫歐 @ 5A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):42 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):398 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作溫度:175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:TO-263-7LA
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小…SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC(碳化硅)MOSFET,非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應用。與以往的3引腳封裝(TO-247N)相比,導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35%的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技…SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關性能。SCT3080ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅…SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiCFE…SCT3105KRC15
SCT3105KRC15是一款非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關性能。SCT3105KRC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結(jié)晶體…電話咨詢:86-755-83294757
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