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商品名稱(chēng):碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
C3M0065100K是基于第三代技術(shù)的1000 V, 65 mΩ, 35 A碳化硅功率MOSFET,采用增強(qiáng)型四引腳TO-247-4封裝,設(shè)有Kelvin柵極連接。 該Kelvin源設(shè)計(jì)顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗和柵極振鈴。 該款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、低輸出電容和低源極電感,優(yōu)化用于電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源。
C3M0065100K的規(guī)格:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiC
漏源電壓(Vdss):1000 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):78 毫歐 @ 20A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):35 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+19V,-8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):660 pF @ 600 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):113.5W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
基本產(chǎn)品編號(hào):C3M0065100
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路實(shí)…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路實(shí)…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開(kāi)關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開(kāi)關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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