C2M0280120D—碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技術 N 溝道增強模式
特點
? C2MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術
? 高阻塞電壓,低導通電阻
? 高速開關,低電容
? 快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)
? 無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)格
FET: 類型 N 通道
技術: SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :10A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 370 毫歐 @ 6A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 1.25mA(典型值)
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 20.4 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 259 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值): 62.5W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應商器件封裝: TO-247-3
封裝/外殼: TO-247-3
應用
? 可再生能源
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
? 不間斷電源
型號
品牌
封裝
數量
描述
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CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話咨詢:86-755-83294757
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