商品名稱：碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
E3M0045065K是一款650 V, 45 mΩ, 46 A第三代分立碳化硅MOSFET，采用 TO-247-4 封裝。
Wolfspeed E系列汽車用碳化硅功率MOSFET是符合汽車標準、具有PPAP功能的N通道增強模式、耐濕MOSFET。這些MOSFET具有低開關損耗和高品質(zhì)因數(shù)。E系列MOSFET經(jīng)過優(yōu)化適用于EV汽車電池充電器和高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。這些MOSFET用于電機控制、傳動系牽引逆變器和光伏逆變器。
特性
第三代碳化硅MOSFET技術
降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
系統(tǒng)效率高
功率密度更高
系統(tǒng)開關頻率更高，電容低
高阻斷電壓，低導通電阻
快速體二極管，具有低反向恢復特性
漏極和源極之間的大爬電距離
符合汽車標準 (AEC-Q101)，具有PPAP功能
無鹵，符合RoHS指令
應用
EV充電
DC-DC轉(zhuǎn)換器
SMPS
UPS
太陽能光伏逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…電話咨詢：86-755-83294757
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