商品名稱：碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
C3M0032120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管。
特點
溫度條件下 RDS(ON) 穩(wěn)定
提供帶獨立開爾文源引腳的封裝選項
極快的開關(guān)速度
降低散熱器要求
優(yōu)勢
更易于驅(qū)動（+15V 柵極驅(qū)動）
提高系統(tǒng)級效率
堅固的體二極管（無需外部二極管）
雪崩堅固耐用
應(yīng)用
太陽能逆變器和儲能
車載和快速直流電動汽車充電系統(tǒng)
電機(jī)控制和驅(qū)動
焊接和感應(yīng)加熱
輔助電源
高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…電話咨詢：86-755-83294757
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