商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
C3M0016120K - 1200V 第 3 代分立碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管,采用 TO-247-4 封裝
產(chǎn)品概覽
C3M0016120K - Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管系列經(jīng)過優(yōu)化,適用于 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等大功率應(yīng)用?;诘谌夹g(shù)的各種導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇合適的部件。將 Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 搭配使用,可為要求苛刻的應(yīng)用提供更高效率的強(qiáng)大組合。
主要特點(diǎn)
隨溫度變化的穩(wěn)定 RDS(ON)
提供帶獨(dú)立開爾文源引腳的封裝選項(xiàng)
極快的開關(guān)速度
降低散熱器要求
優(yōu)點(diǎn)
更易于驅(qū)動(dòng)(+15V 柵極驅(qū)動(dòng))
提高系統(tǒng)級(jí)效率
堅(jiān)固的體二極管(無需外部二極管)
雪崩堅(jiān)固耐用
應(yīng)用
太陽能逆變器和儲(chǔ)能
車載和快速直流電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
焊接和感應(yīng)加熱
輔助電源
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
C3M0016120K - 瞬態(tài)熱阻抗(結(jié)點(diǎn) - 外殼)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話咨詢:86-755-83294757
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