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安森美NVH4L095N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET采用先進的技術(shù)，可實現(xiàn)更好的開關(guān)性能和可靠性。具有低導通電阻和緊湊的芯片尺寸，可降低電容和柵極電荷。該器件還具有高效率、快速運行、較高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。

規(guī)格

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): SiC

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 31 A

Rds On-漏源導通電阻: 105 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 5 V, + 18 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 50 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 64 W

通道模式: Enhancement

商標名: EliteSiC

系列: NVH4L095N065SC1

下降時間: 9 ns

正向跨導 - 最小值: 6.9 S

產(chǎn)品: Mosfets

上升時間: 12 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 8 ns

典型應用

車載充電器

用于電動汽車/混合動力汽車的車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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