商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:TO-247-4L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCT3040KRHRC15是一款1200V 55A的N通道 SiC功率MOSFET。該產(chǎn)品采用溝槽結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻,是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高可靠性車載級產(chǎn)品。
特點
符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
導(dǎo)通電阻低
開關(guān)速度快
快速反向恢復(fù)
易于并聯(lián)
驅(qū)動簡單
無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 55 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 4 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.6 V
Qg-柵極電荷: 107 nC
Pd-功率耗散: 262 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 20 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8.3 S
上升時間: 21 ns
典型關(guān)閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點。它是汽車應(yīng)用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
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RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點。它是汽車應(yīng)用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
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