商品名稱:IPB120P04P4-04
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:D2PAK-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
描述:IPB120P04P4-04 P溝道汽車用功率MOSFET,采用OptiMOS-P2和Gen5技術(shù)。該MOSFET符合AEC標(biāo)準(zhǔn),支持175°C工作溫度。該器件采用D2PAK封裝。
規(guī)格
產(chǎn)品種類 :MOSFET
封裝 / 箱體 :D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性 :P-Channel
通道數(shù)量 :1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓 :40 V
Id-連續(xù)漏極電流 :120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 :3.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓 :- 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓 :2 V
Qg-柵極電荷 :158 nC
最小工作溫度 :- 55°C
最大工作溫度 :+ 175°C
Pd-功率耗散 :136 W
通道模式 :增強(qiáng)型
資格 :AEC-Q101
系列 :OptiMOS-P2
配置 :?jiǎn)蝹€(gè)
下降時(shí)間 :52 ns
高度 :4.4 mm
長(zhǎng)度 :10 mm
上升時(shí)間 :20 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 :49 ns
典型接通延遲時(shí)間 :30 ns
寬度 :9.25 mm
單位重量 :4 g
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ON
8-WDFN
3000
表面貼裝型 P 通道 30 V 13.4A(Ta),47.6A(Tc) 2.66W(Ta),33.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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