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NTLJS17D0P03P8ZTAG P溝道MOSFET是-30V、11.3mΩ單P溝道功率MOSFET，具有低RDS(on) 值和低電容，可最大限度地降低導(dǎo)通和驅(qū)動(dòng)器損耗。該MOSFET具有2mm × 2mm的小尺寸，設(shè)計(jì)緊湊。典型應(yīng)用包括電池管理、保護(hù)和電力負(fù)荷開關(guān)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：11.3 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：38 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：860mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）

封裝/外殼：6-PowerWDFN

基本產(chǎn)品編號(hào)：NTLJS17

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。