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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

GS-065-030-6-LT-TR

產(chǎn)品說明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-MR

產(chǎn)品說明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-018-2-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 650V，18A，GaN E-模式，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-2-L-TR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 650V，11A，GaN E-mode，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LL-MR

產(chǎn)品說明：CoolGaN?晶體管 700 G4，具有極高的效率和可靠性

封裝：TOLL-11
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-014-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-014-6-LR-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A（Tc） 8-PDFN（8x8）

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-6-LR-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A（Tc） 8-PDFN（8x8）

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-1-L-TR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 650V，11A，GaN E-模式，5x6 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 5x6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-004-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 4.6A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-008-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 8.8A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LR-MR

產(chǎn)品說明：CoolGaN? 晶體管 700 V G4 實現(xiàn)極致效率和可靠性

封裝：PDFN-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G007MUV-LBE2

產(chǎn)品說明：Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率級IC

封裝：VQFN-46
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CGH40006S

產(chǎn)品說明：射頻晶體管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 W

封裝：QFN-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CGHV27060MP

產(chǎn)品說明：60 W; DC至2700MHz; 50 V; 面向LTE和脈沖雷達應用的GaN HEMT

封裝：QSOP-20
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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