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深圳市明佳達電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

SCT3040KRC15

產(chǎn)品說明：1200V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET

封裝：TO-247-4L
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRHRC15

產(chǎn)品說明：1200V, 55A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET

封裝：TO-247-4L
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3030ARHRC15

產(chǎn)品說明：650V, 70A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET

封裝：TO-247-4L
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2DGC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGWX5TS65HRC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 132 A 348 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65DHRC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 96 A 254 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2GC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV00TK65DGC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2DGC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80TS65DHRC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TK65DGVC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 45 A 89 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60TS65EHRC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 64 A 178 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH00TK65DGC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 35 A 72 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV80TK65DGVC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 39 A 85 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2HRC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽場截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247N
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV00TK65GVC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共114記錄?上一頁12345...8下一頁?
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