意法半導體推出N溝道STripFET F8功率MOSFET——STL320N4LF8 汽車級 N 溝道 40 V 邏輯電平、典型值 0.55 mOhm、STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝。描述N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù)，具有增強的溝槽柵結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品的通態(tài)電阻極低，可減小內(nèi)部電容和…
意法半導體推出N溝道STripFET F8功率MOSFET——STL320N4LF8 汽車級 N 溝道 40 V 邏輯電平、典型值 0.55 mOhm、STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝。
描述
N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù)，具有增強的溝槽柵結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品的通態(tài)電阻極低，可減小內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更加快速、高效的開關(guān)切換。
應用示例
計算機及外設
電源與轉(zhuǎn)換器
家庭電器和專業(yè)電器
游戲和無人機
電機控制
STL320N4LF8 N 溝道增強模式邏輯電平 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 功率 MOSFET
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
系列: STripFET F8
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 360 A
Rds On-漏源導通電阻: 800 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 43 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: 增強
框圖
引腳配置
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