最新資訊【SK hynix 存儲(chǔ)器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN：低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMsHMAA8GR7CJR4N-XN 的描述HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存 DDR4 SDRAM DIMMs（寄存雙倍數(shù)據(jù)速率同步 DRAM 雙列直插式內(nèi)存模塊）是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速運(yùn)行內(nèi)存模塊。這些寄存 SDRAM DIMM …
【SK hynix 存儲(chǔ)器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN：低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMs
HMAA8GR7CJR4N-XN 的描述
HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存 DDR4 SDRAM DIMMs（寄存雙倍數(shù)據(jù)速率同步 DRAM 雙列直插式內(nèi)存模塊）是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速運(yùn)行內(nèi)存模塊。這些寄存 SDRAM DIMM 用于在服務(wù)器和工作站等系統(tǒng)中作為主內(nèi)存使用。
HMAA8GR7CJR4N-XN 的規(guī)格
內(nèi)存容量：64GB
內(nèi)存技術(shù)：DDR4 SDRAM
產(chǎn)品電壓：1.2V
內(nèi)存速度：3200 MHz
RAM Standard：DDR4-3200/PC4-25600
錯(cuò)誤識(shí)別：ECC
信號(hào)類型：寄存
列訪問(wèn)選通（CAS）：CL22
級(jí)數(shù)：雙級(jí) x4
引腳數(shù)量：288 引腳
內(nèi)存類型：RDIMM
HMAA8GR7CJR4N-XN 的特點(diǎn)
電源： VDD=1.2V (1.14V 至 1.26V)
VDDQ= 1.2V (1.14V 至 1.26V)
VPP- 2.5V（2.375V 至 2.75V）
VDDSPD=2.25V 至 2.75V
16 個(gè)內(nèi)部存儲(chǔ)體
數(shù)據(jù)傳輸速率： PC4-3200、PC4-2933、2666、PC4-2400、PC4-2133、PC4-1866、PC4- 1600
雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
8 位預(yù)取值
突發(fā)長(zhǎng)度 (BL) 實(shí)時(shí)切換 BL8 或 BC4（突發(fā)斬波）
支持 ECC 錯(cuò)誤糾正和檢測(cè)
片上終端 (ODT)
集成 SPD 的溫度傳感器
支持按 DRAM 尋址
可生成內(nèi)部 Vref DQ 電平
所有速度等級(jí)均支持寫 CRC
支持 DBI（數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)）（x8）
支持 CA 奇偶校驗(yàn)（命令/地址奇偶校驗(yàn)）模式
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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