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來自 Qorvo 的 750V 8.4m?組合FET- UG4SC075009K4S TO-247-4L

來自 Qorvo 的 750V 8.4m?組合FET- UG4SC075009K4S TO-247-4L

來源:本站時間:2024-11-02瀏覽數(shù):

產(chǎn)品介紹:Qorvo UG4SC075009K4S 750V 8.4m?組合FET在單個TO-247-4L封裝中集成了750V SiC JFET和低壓Si MOSFET。該設(shè)計可實現(xiàn)常閉開關(guān),同時受益于超低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]和常開SiC JFET的穩(wěn)健性。UG4SC075009K4S組合FET非常適用于電路保護中的高能量開關(guān)。對于開關(guān)模式電…

產(chǎn)品介紹:

Qorvo UG4SC075009K4S 750V 8.4m?組合FET在單個TO-247-4L封裝中集成了750V SiC JFET和低壓Si MOSFET。該設(shè)計可實現(xiàn)常閉開關(guān),同時受益于超低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]和常開SiC JFET的穩(wěn)健性。


UG4SC075009K4S組合FET非常適用于電路保護中的高能量開關(guān)。對于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換,該器件可單獨訪問JFET和MOSFET,從而增強速度控制并簡化多個器件并聯(lián)。

產(chǎn)品封裝.png

UG4SC075009K4S的規(guī)格:

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-4

晶體管極性:N-Channel

配置:Single

Vds-漏源極擊穿電壓:750 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 30 V to 30 V

Vgs=0時的漏-源電流:4 uA

Id-連續(xù)漏極電流:106 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.4 mOhms

Pd-功率耗散:375 W

工作溫度:- 55°C 至 + 175°C

系列:UG4S

商標(biāo):Qorvo

產(chǎn)品類型:SiC JFETs


目標(biāo)應(yīng)用:

固態(tài)/半導(dǎo)體斷路器

固態(tài)/半導(dǎo)體繼電器

電池斷開

浪涌保護

浪涌電流控制

大功率開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器(>25kW)


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