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英飛凌碳化硅SiC_FF17MR12W1M1HPB11_EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊

英飛凌碳化硅SiC_FF17MR12W1M1HPB11_EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊

來源:本站時間:2024-10-29瀏覽數(shù):

明佳達電子【供應(yīng)】英飛凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC? MOSFET 的半橋 1200V 模塊描述:FF17MR12W1M1HPB11EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊采用了第一代增強型CoolSiC? MOSFET 、集成式NTC 溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和 PressFIT 壓接技術(shù)。特征:…

明佳達電子【供應(yīng)】英飛凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC? MOSFET 的半橋 1200V 模塊

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描述:FF17MR12W1M1HPB11

EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊采用了第一代增強型CoolSiC? MOSFET 、集成式NTC 溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和 PressFIT 壓接技術(shù)。


特征:FF17MR12W1M1HPB11

  • 12 毫米高的同類最佳封裝

  • 將領(lǐng)先寬禁帶材料與 Easy 模塊封裝相結(jié)合

  • 模塊雜散電感極低

  • 較寬的反偏安全工作區(qū) (RBSOA)

  • 采用第一代增強型溝槽技術(shù)的1200 V CoolSiC? MOSFET 

  • 建議柵極驅(qū)動電壓窗口增大:從 +15 擴展至 +18 V,從 0 V 擴展至 -5 V

  • 擴展的最大柵-源電壓:+23 V 和 -10 V

  • 過載條件下工作結(jié)溫 Tvjop 高達 175°C 

  • PressFIT 引腳

  • 集成 NTC 溫度傳感器

  • 熱界面材料


規(guī)格:FF17MR12W1M1HPB11

  • 系列: CoolSiC?  

  • 包裝: 托盤  

  • 零件狀態(tài): 在售  

  • 技術(shù): 碳化硅(SiC)  

  • 漏源電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)  

  • 安裝類型: 底座安裝  

  • 封裝/外殼: 模塊  

  • 供應(yīng)商器件封裝: AG-EASY1B 


應(yīng)用

  • 高頻開關(guān)應(yīng)用

  • DC/DC 變換器

  • UPS 系統(tǒng)

  • 電動車直流充電


圖表

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