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內(nèi)存芯片 4Gb TH58NVG2S3HAI0/TH58NVG2S3HTAI0 (Kioxia) NAND閃存

內(nèi)存芯片 4Gb TH58NVG2S3HAI0/TH58NVG2S3HTAI0 (Kioxia) NAND閃存

來源:本站時(shí)間:2024-09-27瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)內(nèi)存芯片 TH58NVG2S3HAI0/TH58NVG2S3HTAI0 (Kioxia) NAND閃存 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP IKioxia SLC NAND 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù),同時(shí)支持更小…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)內(nèi)存芯片 TH58NVG2S3HAI0/TH58NVG2S3HTAI0 (Kioxia)  NAND閃存 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I


Kioxia SLC NAND 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù),同時(shí)支持更小的電路板尺寸(移動(dòng)設(shè)備等)。它們的產(chǎn)品陣容強(qiáng)大,涵蓋各種密度。


型號(hào):TH58NVG2S3HAI0/TH58NVG2S3HTAI0 

制造商: Kioxia

類別:存儲(chǔ)器

描述:FLASH - NAND(SLC) 存儲(chǔ)器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I


SLC NAND 憑借其可靠性和高讀寫速度,非常適合各種消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。


規(guī)格:

產(chǎn)品種類: NAND閃存

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-48

存儲(chǔ)容量: 4 Gbit

接口類型: Parallel

組織: 512 M x 8

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C


應(yīng)用:

工業(yè)

消費(fèi)電子產(chǎn)品

多媒體

智能計(jì)量

智能照明

 

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