三星電子近日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在低功耗內(nèi)存市場的地位。憑借在芯片封裝領(lǐng)域豐富的技術(shù)經(jīng)驗，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動設(shè)備內(nèi)有多余的空間，促進空氣流動。散熱控制能力…
三星電子近日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在低功耗內(nèi)存市場的地位。
憑借在芯片封裝領(lǐng)域豐富的技術(shù)經(jīng)驗，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動設(shè)備內(nèi)有多余的空間，促進空氣流動。散熱控制能力因此得到提升，這一屬性對于像端側(cè)人工智能類具有復(fù)雜功能的高性能應(yīng)用尤為關(guān)鍵。
三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁YongCheol Bae表示：
LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動端低功耗性能的同時，還能在超輕薄的封裝中提供先進的熱管理功能，為高性能端側(cè)AI解決方案樹立了新標準。三星將持之以恒地與客戶密切合作，不斷創(chuàng)新，提供能夠滿足符合時代的低功耗DRAM解決方案。
憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術(shù)，三星提供了其業(yè)內(nèi)最薄，采用四層堆疊結(jié)構(gòu)的12納米級LPDDR DRAM。與上一代產(chǎn)品相比，厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。
通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星優(yōu)化了背面研磨工藝，進一步壓縮了封裝厚度。
三星計劃通過向移動處理器生產(chǎn)商，和移動設(shè)備制造商供應(yīng)0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，繼續(xù)擴大低功耗DRAM的市場。隨著市場對高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動存儲解決方案的需求持續(xù)增長，三星計劃開發(fā)6層24GB和8層32GB的模組，為未來設(shè)備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。
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