英飛凌科技股份公司宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優(yōu)化，進一步豐富了英飛凌車規(guī)級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。得益于其出色的品質(zhì)，EDT2 IGBT符合并超越了車規(guī)級半導體分立器件應力測試標準AECQ101，因而能夠大幅提…
英飛凌科技股份公司宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優(yōu)化，進一步豐富了英飛凌車規(guī)級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。得益于其出色的品質(zhì)，EDT2 IGBT符合并超越了車規(guī)級半導體分立器件應力測試標準AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統(tǒng)的性能和可靠性。該 IGBT采用汽車級微溝槽場中止單元設計，所用技術已成功應用于EasyPACK? 2B EDT2和HybridPACK?等多款逆變器模塊。
為了滿足目標應用的要求，英飛凌新推出的EDT2 IGBT產(chǎn)品系列具備出色的抗短路能力。此外，它所采用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離，更有利于進行系統(tǒng)設計。同時，EDT2技術專門針對牽引逆變器進行了優(yōu)化，擊穿電壓為750 V，可支持高達470 VDC的電池電壓，并顯著降低開關和導通損耗。
分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運行時，額定電流通常為120 A或200 A，這兩款型號均具有極低的正向電壓，相比上一代產(chǎn)品，導通損耗降低了13%。其中，額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2，在采用TO247Plus封裝的分立式IGBT產(chǎn)品中堪稱出類拔萃。因此，僅需少量的并聯(lián)器件，便可實現(xiàn)既定的目標功率等級，同時還可提高功率密度，降低系統(tǒng)成本。
此外，EDT2 IGBT的參數(shù)分布非常緊湊。集電極-發(fā)射極飽和電壓（Vce(sat)）的典型值與最大值之間相差不足200 mV，柵極閾值電壓（VGEth）也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度系數(shù)。總之，這些特性有助于輕松實現(xiàn)并聯(lián)運行，從而提高最終設計的系統(tǒng)靈活性和功率可擴展性。除此之外，這款IGBT器件還擁有平穩(wěn)的開關特性、低柵極電荷（QG）和175°C的最高結(jié)溫溫度（Tvjop）等優(yōu)點。
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