瑞薩電子宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件——該產(chǎn)品可以更小的尺寸帶來更低的功率損耗，將應用在電動汽車逆變器上。
9月1日訊，瑞薩電子宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件——該產(chǎn)品可以更小的尺寸帶來更低的功率損耗，將應用在電動汽車逆變器上，該產(chǎn)品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產(chǎn)，是瑞薩首款使用300mm晶圓量產(chǎn)的IGBT 產(chǎn)品。
此外，瑞薩將從2024年上半年開始在其位于日本甲府的新功率半導體器件300mm晶圓廠加大生產(chǎn)該產(chǎn)品，以滿足市場對功率半導體產(chǎn)品日益增長的需求。
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