深圳明佳達公司供應全新原裝電源管理(LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC，LMG3425R030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET，LMG3425R050 具有集成驅(qū)動器、保護、溫度報告和理想二極管模式的 600V 50mΩ GaN FET。
深圳明佳達公司供應全新原裝電源管理(LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC
產(chǎn)品型號：LMG3425R030RQZR/LMG3425R050RQZR
品牌：TI
年份：最新21+
封裝：VQFN54
LMG3425R030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET
LMG3425R050 具有集成驅(qū)動器、保護、溫度報告和理想二極管模式的 600V 50mΩ GaN FET
產(chǎn)品特性
符合面向硬開關(guān)拓撲的 JEDEC JEP180 標準
帶集成柵極驅(qū)動器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns CMTI
2.2MHz 開關(guān)頻率
30 V/ns 至 150 V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
在 7.5V 至 18V 電源下工作
強大的保護
響應時間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護
硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護
高級電源管理
數(shù)字溫度 PWM 輸出
理想二極管模式可減少 LMG3425R030 中的第三象限損耗
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