深圳市明佳達電子有限公司原裝供應IGBT晶體管 FGA40N65SMD和FGA40T65SHD 場截止 IGBT 650 V，40 A器件型號：FGA40N65SMD，F(xiàn)GA40T65SHD類別：IGBT 晶體管制造商： onsemi 包裝： 管件 零件狀態(tài)： 在售 IGBT 類型： 場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 650 V 電流 …
深圳市明佳達電子有限公司原裝供應IGBT晶體管 FGA40N65SMD和FGA40T65SHD 場截止 IGBT 650 V，40 A
器件型號：FGA40N65SMD，FGA40T65SHD
類別：IGBT 晶體管
制造商： onsemi
包裝： 管件
零件狀態(tài)： 在售
IGBT 類型： 場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)： 120 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）： 2.5V @ 15V，40A
功率 - 最大值： 349 W
開關能量： 820μJ（開），260μJ（關）
輸入類型： 標準
柵極電荷： 119 nC
25°C 時 Td（開/關）：值 12ns/92ns
測試條件： 400V，40A，6 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)： 42 ns
工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝： TO-3PN
概覽
安森美半導體的新型場截止第 2 代 IGBT 采用新型場截止 IGBT 技術，為太陽能逆變器、UPS、焊接機、電感加熱、電信、ESS 和 PFC 等低導通和開關損耗至關重要的應用。
特性
最大結溫TJ =175 °C
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運行
高電流能力
低飽和電壓：VCE(sat) =1.9V（典型值）@ IC = 40A
快速開關：EOFF =6.5uJ/A
緊密的參數(shù)分布
符合 RoHS 標準
應用
發(fā)電和配電
不間斷電源
其他工業(yè)
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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