明佳達全新原裝供應碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術，適于大功率應用。
明佳達全新原裝供應碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術，適于大功率應用。
產品型號：IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1
品牌： INFINEON
年份：最新21+
封裝： TO-263-7
參數(shù)
產品種類: MOSFET
技術: SiC
安裝風格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 54 A
Rds On-漏源導通電阻: 51 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 5 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.7 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 211 W
優(yōu)勢
高性能、高可靠性且易于使用
高系統(tǒng)效率和高功率密度
降低系統(tǒng)成本和復雜度
打造成本更低、結構更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)
采用連續(xù)硬換向拓撲
適于高溫和惡劣的工作環(huán)境
實現(xiàn)雙向拓撲
應用
服務器
電信
開關電源 (SMPS)
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動汽車充電
電機驅動器
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