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全新原裝RF晶體管 [GTVA262701FA-V2-R2] 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

全新原裝RF晶體管 [GTVA262701FA-V2-R2] 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

來源:本站時(shí)間:2024-04-15瀏覽數(shù):

GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 瓦的碳化硅氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT),適用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。

深圳市明佳達(dá)電子有限公司出售全新原裝RF晶體管 [GTVA262701FA-V2-R2] 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz


描述 

GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 瓦的碳化硅氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT),適用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它具有輸入匹配、高效率和無耳法蘭熱增強(qiáng)表面貼裝封裝等特點(diǎn)。


特點(diǎn)

? SiC HEMT 氮化鎵技術(shù)

? 輸入匹配

? 典型脈沖 CW 性能:10 μs 脈寬、10% 占空比、2690 MHz、48 V

- P3dB 時(shí)的輸出功率 = 270 W

- 效率 = 66

- 增益 = 18.1 dB

? 人體模型 1B 級(jí)(符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 標(biāo)準(zhǔn))

? 能夠處理 10:1 VSWR @ 48 V、60 W(WCDMA)輸出功率

? 無鉛,符合 RoHS 規(guī)范


類別: 晶體管

系列: GaN  

包裝: 卷帶(TR)  

零件狀態(tài): 在售  

技術(shù): HEMT  

頻率: 2.62GHz ~ 2.69GHz  

增益: 17dB  

電壓 - 測(cè)試: 48 V  

額定電流(安培): -  

噪聲系數(shù): -  

電流 - 測(cè)試: 320 mA  

功率 - 輸出: 270W  

電壓 - 額定: 125 V  

安裝類型: 表面貼裝型  

封裝/外殼: H-87265J-2  

供應(yīng)商器件封裝: H-87265J-2  

基本產(chǎn)品編號(hào):GTVA262701 

GTVA262701FA-V2-R2.jpg

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