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供應全新原裝IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 溝槽型碳化硅 MOSFET

來源：本站時間：2022-08-20瀏覽數(shù)：

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明佳達供應全新原裝IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 溝槽型碳化硅 MOSFET

型號：IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1

品牌：英飛凌

年份：最新21+

描述：IMBG120R220M1H 采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET。

規(guī)格參數(shù)

FET 類型 N 通道

技術(shù) SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss） 1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 13A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 294 毫歐 @ 4A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 1.6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 9.4 nC @ 18 V

Vgs（最大值） +18V，-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 312 pF @ 800 V

FET 功能標準

功率耗散（最大值） 83W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝型

供應商器件封裝 PG-TO263-7-12

封裝/外殼 TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

優(yōu)勢

提高效率

實現(xiàn)更高的工作頻率

增加功率密度

減少冷卻工作

降低系統(tǒng)復雜程度和成本

SMD封裝，無需增設散熱器，即可實現(xiàn)自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中

應用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

工業(yè)電機驅(qū)動和控制

太陽能系統(tǒng)解決方案

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