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【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽車級雙 N 溝道 MOSFET 晶體管

【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽車級雙 N 溝道 MOSFET 晶體管

來源:本站時(shí)間:2024-03-28瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽車級雙 N 溝道 MOSFET 晶體管產(chǎn)品概覽STL8DN6LF6AG 是一款雙 N 溝道功率 MOSFET,采用 STripFET? F6 技術(shù)和新型溝槽柵極結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。由此產(chǎn)生的功率 MOSFET 在所有封裝中都具有極低的 RDS(on)。產(chǎn)品屬性配置:2 N-通…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽車級雙 N 溝道 MOSFET 晶體管


產(chǎn)品概覽

STL8DN6LF6AG 是一款雙 N 溝道功率 MOSFET,采用 STripFET? F6 技術(shù)和新型溝槽柵極結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。由此產(chǎn)生的功率 MOSFET 在所有封裝中都具有極低的 RDS(on)。


產(chǎn)品屬性

配置:2 N-通道(雙)

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):32A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):27 毫歐 @ 9.6A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級:汽車級

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6)


產(chǎn)品特性

極低導(dǎo)通電阻

極低的柵極電荷

高雪崩堅(jiān)固性

柵極驅(qū)動功率損耗低

可潤濕側(cè)面封裝


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