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[供應(yīng),回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率溝槽 MOSFET 晶體管

[供應(yīng),回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率溝槽 MOSFET 晶體管

來源:本站時間:2024-03-22瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng),回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率溝槽 MOSFET 晶體管產(chǎn)品概覽FDBL86210-F085 - 采用 TOLL 封裝的汽車功率 MOSFET 晶體管,適合具有高散熱性能的高效設(shè)計。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。產(chǎn)品屬性FET …

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng),回收] FDBL86210-F085 (ON) N通道功率溝槽 MOSFET 晶體管


產(chǎn)品概覽

FDBL86210-F085 - 采用 TOLL 封裝的汽車功率 MOSFET 晶體管,適合具有高散熱性能的高效設(shè)計。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):169A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):6.3 毫歐 @ 80A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):90 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5805 pF @ 75 V

功率耗散(最大值):500W(Tj)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:8-HPSOF

封裝/外殼:8-PowerSFN


應(yīng)用

開關(guān)電源

電源開關(guān)(高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等)

反向電池保護(hù)


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