最新資訊型號(hào)：IPS65R1K4C6 品牌：Infineon 批號(hào)：21+ 封裝：TO-251類(lèi)型描述類(lèi)別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)制造商Infineon Technologies系列CoolMOS?包裝管件FET 類(lèi)型N 通道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3.2A（Tc）…
型號(hào)：IPS65R1K4C6
品牌：Infineon
批號(hào)：21+
封裝：TO-251
類(lèi)型 | 描述 |
|---|---|
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) |
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | CoolMOS? |
包裝 | 管件 |
FET 類(lèi)型 | N 通道 |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
漏源電壓（Vdss） | 650 V |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 3.2A（Tc） |
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） | 1.4 歐姆 @ 1A，10V |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 100μA |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） | 10.5 nC @ 10 V |
Vgs（最大值） | ±20V |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） | 225 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散（最大值） | 28W（Tc） |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
安裝類(lèi)型 | 通孔 |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO251-3-11 |
封裝/外殼 | TO-251-3 短截引線，IPak |
時(shí)間：2024-11-22
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