深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)進(jìn)口原裝瑞薩 R5F100GEAFB 16位微控制器 - MCU，真正的低功耗平臺（66μA/MHz，僅有RTC和LVD的操作為0.57μA），適用于一般用途的應(yīng)用。特性超低功耗技術(shù)：VDD =單電源電壓：1.6V至5.5V HALT模式STOP模式SNOOZE模式RL78 CPU內(nèi)核： CISC架構(gòu)，…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)進(jìn)口原裝瑞薩 R5F100GEAFB 16位微控制器 - MCU，真正的低功耗平臺（66μA/MHz，僅有RTC和LVD的操作為0.57μA），適用于一般用途的應(yīng)用。
特性
超低功耗技術(shù)：
VDD =單電源電壓：1.6V至5.5V
HALT模式
STOP模式
SNOOZE模式
RL78 CPU內(nèi)核：
CISC架構(gòu)，帶3級流水線
最短指令執(zhí)行時間
可以從0.03125μs（32MHz運(yùn)行，高速片上振蕩器）改為超低30.5μs（32.768kHz運(yùn)行速度）（帶子系統(tǒng)時鐘）
1MB地址空間
通用寄存器：（8位寄存器，8個）×4組
片上RAM：2KB至32KB
代碼閃存：
代碼閃存：16KB至512KB
塊尺寸：1KB
禁止塊擦除和重寫（安全功能）
片上調(diào)試功能
自編程（具有啟動交換功能/閃存屏蔽窗口功能）
數(shù)據(jù)閃存：
數(shù)據(jù)閃存：4KB至8KB
后臺操作 (BGO)：可以從程序存儲器執(zhí)行指令，同時重寫數(shù)據(jù)閃存
重寫次數(shù)：1,00萬次（典型值）
重寫電壓：VDD=1.8V至5.5V
高速片上振蕩器：
從32MHz、24MHz、16MHz、12MHz、8MHz、6MHz、4MHz、3MHz、2MHz和1MHz中選擇
高精度：±1.0%（VDD =1.8V至5.5V，TA=-20°C至85°C）
片上二進(jìn)制編碼小數(shù) (BCD) 校正電路
R5F100GEAFB 微控制器可用于從家用電器和消費(fèi)類電器到工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療保健和安全等各種應(yīng)用。
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