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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),既快速又符合高性?xún)r(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。
產(chǎn)品圖片
規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買(mǎi)數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品編號(hào):IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 1000 V 409 A 959 W 底座安裝 42-PIM/Q2PACK(93x47)
封裝:PIM-44產(chǎn)品編號(hào):IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 1200 V 92 A 266 W 底座安裝 32-PIM(71x37.4)
封裝:PIM-32產(chǎn)品編號(hào):IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 1 kV 100 A 93 W 底座安裝 36-PIM(56.7x48)
封裝:F2產(chǎn)品編號(hào):MOSFET - 陣列 60V 7.5A(Ta),26A(Tc) 3W(Ta),19W(Tc) 表面貼裝型 8-DFN(5x6)
封裝:8-DFN電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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