商品名稱:IGW50N65F5FKSA1
數據手冊:IGW50N65F5FKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:2000 件
IGW50N65F5FKSA1 分立式IGBT針對開關>60kHz進行了優(yōu)化,以提供最佳效率,彌補MOSFET和IGBT之間的差距。該650V TRENCHSTOP? 5 F5 IGBT與碳化硅二極管共同針對低電感設計,提供的效率比650V TRENCHSTOP? 5 H5系列高出1%。
產品規(guī)格:
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):150 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值:305 W
開關能量:490μJ(開),160μJ(關)
輸入類型:標準
柵極電荷:120 nC
25°C 時 Td(開/關)值:21ns/175ns
測試條件:400V,25A,12 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商器件封裝:PG-TO247-3
基本產品編號:IGW50N65
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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