商品名稱:FP25R12W1T7B11
數(shù)據(jù)手冊(cè):FP25R12W1T7B11.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FP25R12W1T7B11 EasyPIM? 1B 1200 V、25 A 三相輸入整流器 PIM(功率集成模塊)IGBT 模塊,采用 TRENCHSTOP? IGBT7、發(fā)射極可控 7 二極管、NTC 和 PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電壓 VCE(飽和)和 Vf
過(guò)載時(shí) Tvj op=175°C
增強(qiáng)了 dv/dt 的可控性
優(yōu)化了 dv/dt = 5kV/μs 時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗
8 μs 短路穩(wěn)健性
改進(jìn)的 FWD 軟性
優(yōu)勢(shì)
由于使用了更小的功率模塊,因此功率密度更高
損耗低,滿足能效要求
優(yōu)化了損耗和 EMI 之間的權(quán)衡
降低系統(tǒng)成本
應(yīng)用
采暖通風(fēng)與空調(diào) (HVAC)
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類(lèi)型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類(lèi)型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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