商品名稱:IKP20N65H5XKSA1
數(shù)據(jù)手冊:IKP20N65H5XKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IKP20N65H5XKSA1 高速 650 V、20 A 硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOPTM 5 可與 TO-220 封裝中 RAPID 1 快速和軟反并聯(lián)二極管共同封裝,被定義為“同類最佳”IGBT。
特征描述
650V 擊穿電壓
對比英飛凌業(yè)界卓著的“HighSpeed 3”系列
Qg 系數(shù)降低 2.5 倍
開關(guān)損耗系數(shù)降低 2 倍
V CE (sat) 減少了 200mV
采用英飛凌極速硅二極管技術(shù)
低 C OES/E OSS
溫和正溫度系數(shù) V CE (sat)
Vf 的溫度穩(wěn)定
IKP20N65H5XKSA1產(chǎn)品屬性
IGBT 類型: 溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 42 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,20A
功率 - 最大值: 125 W
開關(guān)能量: 170μJ(開),60μJ(關(guān))
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 48 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值: 18ns/156ns
測試條件: 400V,10A,32 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) :52 ns
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO220-3
應(yīng)用
太陽能轉(zhuǎn)換器
不間斷電源
焊接變頻器
中高頻開關(guān)變頻器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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