商品名稱：IPDQ60R040S7XTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
IPDQ60R040S7XTMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：PG-HDSOP-22-1
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
Infineon Technologies IPDQ60R040S7XTMA1 600V CoolMOS?S7 SJ功率MOSFET具備低頻開關(guān)應(yīng)用所需性能。CoolMOS?S7的RDS(on) 較低，適用于HVSJ MOSFET。采用該設(shè)備可顯著提高能效。 CoolMOS?S7針對(duì)“靜態(tài)開關(guān)”和大電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
特性
采用CoolMOS?S7技術(shù)可實(shí)現(xiàn)40mΩ的RDS (on)
在低頻開關(guān)應(yīng)用中優(yōu)化了性價(jià)比
高脈沖電流能力
開爾文源極引腳提高了大電流時(shí)的開關(guān)性能
QDPAK (PG-HDSOP-22-1)采用頂部冷卻，封裝散熱性能提高
應(yīng)用
固態(tài)繼電器和斷路器
大功率/高性能應(yīng)用中的線路整流
計(jì)算、電信、不間斷電源和太陽(yáng)能
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào)：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6：150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-HDSOP-16型號(hào)：IPTC025N15NM6封裝：PG-HDSOP-16類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管概述：IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技
IPT025N15NM6
IPT025N15NM6：150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào)：IPT025N15NM6封裝：PG-HSOF-8類型：功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），…電話咨詢：86-755-83294757
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