商品名稱(chēng):IPQC60R040S7XTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPQC60R040S7XTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPQC60R040S7XTMA1為低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供了最佳的價(jià)格性能。CoolMOS?S7為HVSJMOSFET提供了最低的RDS(on)值,明顯提高了能源效率。
CoolMOS?S7針對(duì) "靜態(tài)開(kāi)關(guān) "和高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,它也適用于固態(tài)走廊斷路器設(shè)計(jì)以及SMPS和逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的線路矯正。
特點(diǎn)
?CoolMOS?S7技術(shù)使40mΩRDS(on)在最小的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)。
?在低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了最佳的價(jià)格性能
?高脈沖電流能力
?開(kāi)爾文源插頭提高了大電流下的開(kāi)關(guān)性能
?QDPAK底部冷卻包符合MSL1標(biāo)準(zhǔn),完全不含鉛。
?QDPAK底部冷卻組件符合MSL1標(biāo)準(zhǔn),完全不含鉛,適合標(biāo)準(zhǔn)的
?PCB組裝流程,可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的系統(tǒng)集成 融合
技術(shù)規(guī)格
FET 類(lèi)型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 14A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 40 毫歐 @ 13A,12V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 790μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 83 nC @ 12 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 272W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-HDSOP-22
潛在應(yīng)用
?固態(tài)繼電器和斷路開(kāi)關(guān)
?大功率/高性能應(yīng)用中的線路校正,如計(jì)算機(jī)、 電信、UPS和太陽(yáng)能
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類(lèi)型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類(lèi)型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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