商品名稱：IPP60R040S7XKSA1
數(shù)據(jù)手冊：
IPP60R040S7XKSA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-220-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
600V CoolMOS? S7 超結(jié) MOSFET (IPP60R040S7XKSA1) 針對低導(dǎo)通損耗進行優(yōu)化，采用 TO-220 封裝，可提供最優(yōu)的 RDS(on) x 價格，適用于低頻開關(guān)應(yīng)用，如有源橋式整流器、浪涌繼電器、 PLC、 高壓 DC 線路、 功率 固態(tài)繼電器 和固態(tài)斷路器。
特征描述
針對導(dǎo)通性能進行優(yōu)化
耐熱性提高
高脈沖電流能力
優(yōu)勢
最大限度地降低導(dǎo)通損耗
提高能效
更緊湊、更簡單的設(shè)計
在固態(tài)設(shè)計中無需或減少散熱器
較低的總體擁有成本 (TCO) 或物料清單 (BOM) 成本
潛在應(yīng)用
SMPS
太陽能系統(tǒng)
電池和設(shè)備保護
固態(tài)繼電器 (SSR) 和固態(tài)斷路器 (SSCB)
室內(nèi)商業(yè)照明控制
不間斷電源
低速電動車 (LSEV)
可編程邏輯控制器 (PLC)
室內(nèi)空調(diào)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6：150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-HDSOP-16型號：IPTC025N15NM6封裝：PG-HDSOP-16類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管概述：IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技
IPT025N15NM6
IPT025N15NM6：150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號：IPT025N15NM6封裝：PG-HSOF-8類型：功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），…電話咨詢：86-755-83294757
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