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NTMFD5C470NLT1G 40V 雙N通道功率MOSFET集成有肖特基，采用DFN8 (SO8FL) 封裝。該N溝道功率MOSFET是內(nèi)置功率級的解決方案，可最大限度地減少電路板占用空間，最大限度地降低寄生電感并降低功耗。該款雙N通道功率MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、系統(tǒng)電壓軌以及負(fù)載點(diǎn)。

產(chǎn)品規(guī)格：

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

FET 功能：-

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Ta），36A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：11.5 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 20μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：9nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：590pF @ 25V

功率 - 最大值：3W（Ta），24W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標(biāo)記（SO8FL-雙通道）

基本產(chǎn)品編號：NTMFD5

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。