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IMBG65R030M1HXTMA1是CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET，采用基于碳化硅溝槽技術(shù)的緊湊型7引腳SMD封裝，用于高功率應(yīng)用。

IMBG65R030M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型： N-溝道

技術(shù)： SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓（Vdss）： 650 V

電流 - 連續(xù)漏極（Id） @ 25°C： 63A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 42mOhm @ 29.5A, 18V

Vgs(th)（最大）@ Id： 5.7V @ 8.8mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 49 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V，-5V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds： 1643 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 234W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型： 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7引線+焊片），TO-263CA

IMBG65R030M1HXTMA1的特點(diǎn)

連續(xù)硬換向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

適用于高溫和惡劣的工作環(huán)境

實(shí)現(xiàn)了雙向的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳

N溝道IMBG65R030M1HXTMA1 MOSFET晶體管 TO-263-8 集成電路芯片

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