商品名稱：BSC100N06LS3GATMA1
數(shù)據(jù)手冊：
BSC100N06LS3GATMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：4000 件
N通道BSC100N06LS3GATMA1功率晶體管8-PowerTDFN集成電路芯片
產(chǎn)品介紹
BSC100N06LS3GATMA1是60V OptiMOS 3功率晶體管，可用于廣泛的工業(yè)應用，如電機控制、太陽能微逆變器和快速開關DC-DC轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性： N-溝道
通道數(shù)： 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：60 V
Id - 連續(xù)漏極電流：50 A
Rds On - 漏極-源極電阻：10 mOhms
Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：1.2 V
Qg - 柵極電荷： 34 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度： + 150 C
Pd - 功率耗散： 50 W
通道模式： 增強型
配置： 單一
下降時間：8 ns
正向電導率 - 最小： 32 S
高度：1.27毫米
長度：5.9毫米
上升時間：58 ns
特點
提高了功率密度
高系統(tǒng)效率
非常低的通態(tài)電阻R DS(on)
非常低的電壓過沖
是快速開關應用的理想選擇
卓越的柵極電荷x R DS(on)產(chǎn)品(FOM)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
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IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
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IPT025N15NM6
IPT025N15NM6：150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號：IPT025N15NM6封裝：PG-HSOF-8類型：功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），…電話咨詢：86-755-83294757
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