商品名稱:BSZ100N03MSGATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSZ100N03MSGATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
30V MOSFETs 晶體管 BSZ100N03MSGATMA1 集成電路芯片 8-PowerTDFN
產(chǎn)品介紹
BSZ100N03MSGATMA1 OptiMOS? 30V產(chǎn)品是為滿足筆記本電腦的電源管理需求而定制的,改善了EMI行為,并延長了電池壽命。可采用半橋配置(功率級(jí)5x6)。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個(gè)通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:30 V
Id - 連續(xù)漏極電流:40 A
Rds On - 漏極-源極電阻:7.3 mOhms
Vgs - 柵源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極源閾值電壓:1 V
Qg - 柵極電荷:23 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散: 30 W
通道模式: 增強(qiáng)型
配置: 單通道
下降時(shí)間:2.4 ns
正向電導(dǎo)率 - 最小值:26 S
高度:1.1毫米
長度: 3.3 mm
應(yīng)用
板載充電器
直流-直流
VRD/VRM
電機(jī)控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ND171N18K
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DD98N22K是一款高壓、大電流整流二極管模塊,采用20mm PowerBLOCK封裝,支持2200V反向電壓和98A連續(xù)輸出電流,適用于工業(yè)電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。CY7C1441KV33-133BZM
CY7C1441KV33-133BZM 器件是一款 36Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器,具有多種功能,可解決網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算方面的難題。該 SRAM 存儲(chǔ)器是高速網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器、通信基礎(chǔ)設(shè)施、測(cè)試設(shè)備、成像和視頻以及高性能計(jì)算應(yīng)用的理想之選。CY7C1441KV33-133BZM 的特性支持 133 MHz 總線…DD89N14K
DD89N14K是整流二極管 20 mm 功率塊 1400 V,89 使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊。DD89N12K
DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊,使用隔離銅底板。電話咨詢:86-755-83294757
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