商品名稱:IPB180P04P403ATMA2
數(shù)據(jù)手冊:IPB180P04P403ATMA2.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:7000 件
英飛凌 IPB180P04P403ATMA2 OptiMOS?-P2汽車用MOSFET提供全系列P溝道汽車用功率MOSFET,采用OptiMOS-P2和Gen5技術(shù)。
屬性
系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-P2
FET 類型: P 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :180A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 2.8 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4V @ 410μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 250 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 17640 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-3
封裝/外殼: TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片)
優(yōu)勢
高邊驅(qū)動無需電荷泵
簡單的接口驅(qū)動電路
40V 時, RDSon 為世界極低值
極高的沖擊電流能力
極低的開關(guān)功耗和傳導(dǎo)功率損耗,造就極高的熱效率
穩(wěn)固的封裝,出色的品質(zhì),高可靠性
標(biāo)準(zhǔn)封裝 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
潛在應(yīng)用
用于電機橋的高邊 MOSFET(半橋、H 橋、三相電機)
采用40V P 通道作為高邊器件,無需電荷泵即可實現(xiàn)橋配置
仿真/ SPICE-型號
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
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IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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