商品名稱:S80KS5122GABHV020
數(shù)據(jù)手冊:S80KS5122GABHV020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
S80KS5122GABHV020 是一款512Mb 偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器(PSRAM)-HyperRAM器件。具備HyperBus? 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存儲陣列的內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似于DRAM,而外在行為則與SRAM相似。
該HYPERRAM具有高吞吐量、低引腳數(shù)、外形小巧和高能效等優(yōu)點(diǎn),這使它成為適用于汽車、工業(yè)和通信領(lǐng)域的眾多應(yīng)用的擴(kuò)展存儲理想之選。
產(chǎn)品規(guī)格:
存儲器類型:易失
存儲器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
存儲容量:512Mb
存儲器組織:64M x 8
存儲器接口:HyperBus
時鐘頻率:200 MHz
寫周期時間 - 字,頁:35ns
訪問時間:35 ns
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA(6x8)
基本產(chǎn)品編號:S80KS5122
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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