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MSC017SMA120J器件是一款1200 V，88A的碳化硅 (SiC) MOSFET模塊，采用 SOT-227-4 封裝，功耗最高為278W。該碳化硅模塊無需任何續(xù)流二極管，降低了系統(tǒng)成本。典型應(yīng)用包括智能電網(wǎng)輸配電、感應(yīng)加熱和焊接、供電及配電。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：88A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 4.5mA（標(biāo)準(zhǔn)）

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：249 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5280 pF @ 1000 V

功率耗散（最大值）：278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

基本產(chǎn)品編號：MSC017

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