商品名稱:碳化硅 MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IMZC120R022M2H:采用 .XT 互聯(lián)技術(shù),TO-247-4封裝的1200V、22mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管
型號(hào):IMZC120R022M2H
封裝:TO-247-4
類型:CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管
概述:CoolSiC? 1200V SiC MOSFET G2:采用 .XT 互聯(lián)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 晶體管
IMZC120R022M2H - 特征描述:
Tvj = 25°C 時(shí),VDSS = 1200 V
TC = 100°C 時(shí),IDDC = 57 A
VGS = 18 V、Tvj = 25°C 時(shí),RDS(on) = 22 mΩ
開關(guān)損耗極低
過載工作溫度可達(dá) Tvj = 200°C
短路耐受時(shí)間 2 μs
基準(zhǔn)柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.2 V
可防止寄生導(dǎo)通,可采用 0 V 關(guān)斷柵極電壓
堅(jiān)固的體二極管可實(shí)現(xiàn)硬換向
采用 .XT 互連技術(shù),具有同類最佳的散熱性能
應(yīng)用:
通用驅(qū)動(dòng)器 (GPD)
電動(dòng)汽車充電
在線 UPS/工業(yè) UPS
太陽能優(yōu)化器
組串逆變器
儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)
焊接
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品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…CY62177G30-55ZXI
CY62177G30-55ZXI 是具有嵌入式 ECC 的高性能 CMOS、低功耗 (MoBL) SRAM 器件。該器件提供單、雙芯片使能選項(xiàng)和多種引腳配置。CY62177G30-55ZXI 器件包含一個(gè)ERR 引腳,用于在讀取周期中發(fā)出單位錯(cuò)誤檢測和糾正事件信號(hào)。CY62177G30-55ZXI 的特性超低待機(jī)電流典型待機(jī)電流…CY62177G30-55BAXI
CY62177G30-55BAXI 是具有嵌入式 ECC 的高性能 CMOS、低功耗 (MoBL) SRAM 器件。該器件提供單、雙芯片使能選項(xiàng)和多種引腳配置。CY62177G30-55BAXI 器件包含一個(gè)ERR 引腳,用于在讀取周期中發(fā)出單位錯(cuò)誤檢測和糾正事件信號(hào)。CY62177G30-55BAXI 的特性超低待機(jī)電流典型待機(jī)…CY62177GE30-55ZXI
CY62177GE30-55ZXI 是具有嵌入式 ECC 的高性能 CMOS、低功耗 (MoBL) SRAM 器件。該器件提供單、雙芯片使能選項(xiàng)和多種引腳配置。CY62177GE30-55ZXI 器件包含一個(gè)ERR 引腳,用于在讀取周期中發(fā)出單位錯(cuò)誤檢測和糾正事件信號(hào)。CY62177GE30-55ZXI 的特性超低待機(jī)電流典型待機(jī)…DD700N22K
DD700N22K是一款 60 mm 整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有高可靠性和出色的電氣性能,適用于多種工業(yè)和能源應(yīng)用場景。DD600N18K
DD600N18K是一款高性能整流二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管。電話咨詢:86-755-83294757
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