IFF750B12ME7B11 EconoDUAL? 3 1200 V、750 A 雙 TRENCHSTOP? IGBT7 模塊,帶發(fā)射極受控 7 二極管、NTC、集成分流器和 PressFIT 觸點技術。
IFF750B12ME7B11器件規(guī)格
IGBT 類型: 溝槽型場截止
配置: 半橋逆變器
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 750 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值): 1.75V @ 15V,750A
電流 - 集電極截止(最大值): 51 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies): 115000 pF @ 25 V
輸入: 標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
產品應用
? 商用農用車
? 大功率轉換器
? 電機驅動器
? 伺服驅動器
? 不間斷電源系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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