商品名稱:IDWD15G120C5XKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IDWD15G120C5XKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IDWD15G120C5XKSA1 器件是1200V第五代CoolSiC?肖特基二極管,它采用TO-247 真2腳封裝,可輕松更換現(xiàn)下通用的Si二極管。全新封裝具備經(jīng)過擴(kuò)展的8.7mm爬電距離和電氣間隙,在高度污染的環(huán)境下可帶來更高的安全性。
產(chǎn)品規(guī)格:
技術(shù):SiC(碳化硅)肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
電流 - 平均整流 (Io):49A
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.65 V @ 15 A
速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):0 ns
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:124 μA @ 1200 V
不同 Vr、F 時(shí)電容:1050pF @ 1V,1MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-2
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-2
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C
基本產(chǎn)品編號(hào):IDWD15
應(yīng)用領(lǐng)域:
不間斷電源(UPS)
電動(dòng)汽車快速充電
電源
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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